Menggunakan memori V-NAND 3D akan membolehkan anda mencipta SSD 10 TB 30.11.2014

Memori kilat V-NAND 3D telah pun membuktikan nilainya: bukan sahaja ia menawarkan lebih banyak kapasiti storan daripada cip MLC tradisional, tetapi ia juga sangat dipercayai, tidak seperti TLC yang terkenal. Nampaknya 3D V-NAND akan membuat satu kejayaan dalam bidang pemacu keadaan pepejal mampu milik dengan volum yang setanding dengan generasi terkini HDD tradisional. Kita bercakap tentang kapasiti 10 terabait dan ke atas.

Ini adalah inisiatif yang dikemukakan oleh Intel Corporation. Pada mesyuarat pelabur Intel baru-baru ini, diumumkan bahawa pada separuh kedua 2015, usaha sama Intel-Micron Flash Technologies akan memulakan pengeluaran besar-besaran cip berbilang lapisan 256Gb dan 384Gb.

Dalam kes kedua, sel tiga peringkat akan digunakan. Struktur tiga dimensi cip 3D-NAND baharu akan mempunyai 32 lapisan cip yang disambungkan menggunakan susunan struktur menegak khas yang serupa dengan TSV tradisional (melalui silikon melalui). Kemunculan cip memori kilat dengan kapasiti sedemikian akan membuka jalan kepada penciptaan pemacu keadaan pepejal dengan volum besar yang tidak tersedia hari ini. Rob Crooke, naib presiden bahagian memori tidak menentu Intel, percaya bahawa SSD berdasarkan teknologi baharu boleh melebihi 10 terabait dalam dua tahun akan datang. Sebagai perbandingan, SanDisk, yang ingin mencipta SSD 4 terabait berdasarkan teknologi dalam pesawat tradisional, terpaksa menggunakan 64 cip eMLC 512 gigabit (64 GB) yang sangat mahal, setiap satunya membawa empat 128 gigabit die dalam satu pakej. Cip ini dihasilkan menggunakan proses pembuatan nipis yang canggih, yang meningkatkan kosnya, tetapi tidak menambah kebolehpercayaan sama sekali.

Tetapi cip Intel-Micron "tiga dimensi" dengan kapasiti 256 dan 384 gigabit (masing-masing 32 dan 48 GB) akan menggunakan proses teknikal yang lebih besar dan lebih murah, dan pada masa yang sama lebih dipercayai. Malangnya, Intel masih berdiam diri mengenai jenis teknologi proses yang dipersoalkan. Tetapi prototaip SSD yang berfungsi berdasarkan cip "256D" 128Gb sudah wujud, dan salah satu daripadanya telah ditunjukkan pada acara yang disebutkan di atas. Perlu diingatkan bahawa Samsung juga secara aktif menghasilkan memori kilat "tiga dimensi": cip 24-gigabitnya mempunyai 32 atau 42 lapisan dan menggunakan piawaian teknologi yang luar biasa besar mengikut piawaian hari ini - 86 nanometer. "Kapasiti ketara" litar mikro ini ialah 256 Gbit; Samsung nampaknya bermain selamat, mahu mengelakkan masalah hipotesis dengan teknologi baharu pada semua kos. Dengan latar belakang ini, projek Intel-Micron, yang bermula serta-merta dengan kapasiti XNUMX-gigabit, kelihatan jauh lebih bercita-cita tinggi, tetapi kos produk akhir dengan pendekatan ini akan menjadi lebih rendah. Dan sudah tentu, pengguna biasa juga akan mendapat manfaat daripada ini.

Tetapi walaupun cip baharu Intel mempunyai nisbah harga-kepada-kapasiti yang lebih baik, keupayaan perikatan Intel-Micron untuk mengeluarkannya belum lagi membenarkan kami bercakap tentang kesan serius ke atas pasaran NAND. Menurut ChinaFlashMarket.com, kilang perikatan IMFT boleh menghasilkan kira-kira 70 wafer 300mm sebulan, dan nombor ini termasuk jenis memori yang berbeza. Menggunakan kilang IMFS dan MTV boleh menghasilkan 80 hingga 40 lagi wafer 300mm sebulan, tetapi itu tidak seberapa berbanding kapasiti Samsung. Hanya satu daripada kilang gergasi Korea Selatan itu, yang dibina khas untuk pengeluaran jenis memori kilat baharu, mampu menghasilkan 100 wafer sebulan, manakala kemudahan pengeluaran Samsung yang lain, sesuai untuk tujuan yang sama, boleh membekalkan lebih 400 wafer dalam tempoh masa yang sama.

Dalam erti kata lain, cip memori kilat berbilang lapisan baharu Intel mungkin tidak merevolusikan keseluruhan pasaran SSD, tetapi ia akan menjadikan model berkapasiti tinggi lebih mudah diakses oleh pengguna dan membolehkan syarikat mengukuhkan kedudukannya dengan ketara dalam industri mikroelektronik ini. Bahagian NAND dan SSD Intel dijangka telah menggabungkan hasil kira-kira $2014 bilion pada 2, dan pengenalan cip berbilang lapisan 256-Gigabit baharu akan meningkatkan angka ini pada tahun-tahun akan datang.