Litar mikro untuk perlindungan penumpuk litium. Data rujukan

Perpustakaan teknikal percuma

ENSIKLOPEDIA ELEKTRONIK RADIO DAN KEJURUTERAAN ELEKTRIK
Perpustakaan percuma / Skim peranti radio-elektronik dan elektrik

Litar mikro untuk perlindungan penumpuk litium. Data rujukan

Perpustakaan teknikal percuma

Ensiklopedia elektronik radio dan kejuruteraan elektrik / Bahan rujukan

Komen artikel

Bateri litium moden dan bateri boleh dicas semula untuk menghidupkan telefon bimbit dan peranti elektronik mudah alih lain mempunyai penunjuk berat dan saiz yang tinggi serta keamatan tenaga yang tinggi, tetapi pada masa yang sama ia sangat sensitif terhadap pelanggaran syarat pengecasan dan nyahcas. Akibat daripada pelanggaran sedemikian, selalunya tidak disengajakan, boleh menjadi agak teruk - daripada kehilangan kapasiti tenaga yang ketara hingga kegagalan bateri yang lengkap. Kos perbandingan bateri dan bateri litium masih kekal tinggi.

Ini memaksa peranti elektronik yang agak kompleks untuk dibina ke dalam bateri, memantau operasi bateri yang betul dan menghalangnya daripada melebihi mod maksimum yang dibenarkan. Di bawah diterangkan litar mikro yang dihasilkan oleh ON Semiconductor, yang direka untuk melaksanakan fungsi ini dengan tepat. Salah satu siri NCP802 akan melindungi bateri litium tunggal, dan MC33351A akan memastikan operasi yang boleh dipercayai bagi bateri tiga bateri sedemikian. Kebiasaan dengan ciri-ciri mereka akan membantu bukan sahaja untuk menggunakan bateri dengan betul, tetapi juga untuk memulihkan fungsi selepas "kegagalan" yang tidak dijangka, sering dikaitkan hanya dengan operasi sistem perlindungan terbina dalam.

Litar mikro siri NCP802

Ia dihasilkan dalam beberapa pengubahsuaian reka bentuk: NCP802SN1T1 - dalam bekas plastik bersaiz kecil SOT-23-6 (Rajah 1), dan NCP802SAN1T1 dan NCP802SAN5T1 - dalam bekas plastik SON-6 (Gamb. 2) dengan saiz yang lebih kecil.

(klik untuk memperbesar)

Jika indeks G ditambah pada penetapan, litar mikro adalah mesra alam (tidak mengandungi plumbum). Perumah litar mikro NCP802 hanya mempunyai tanda konvensional - huruf KN dan kod tarikh pengeluaran. Nama penuh dengan semua indeks ditunjukkan hanya dalam dokumentasi yang disertakan. Pinout litar mikro dibentangkan dalam jadual. 1.

(klik untuk memperbesar)

Gambar rajah biasa untuk menyambungkan peranti kepada bateri litium-ion yang dilindungi ditunjukkan dalam Rajah. 3.

IC untuk melindungi bateri litium

Litar R2C1 ialah penapis kuasa untuk cip DA1. Rintangan perintang R2 tidak boleh lebih daripada 1 kOhm, kerana penurunan voltan merentasinya boleh meningkatkan ambang tindak balas unit perlindungan secara tidak boleh diterima. Perintang R1 dan R2 mengehadkan arus melalui cip jika bateri G1 disambungkan secara tidak sengaja kepada pengecas yang menghasilkan terlalu banyak voltan, atau dalam kekutuban yang salah. Untuk tidak melebihi pelesapan kuasa yang dibenarkan untuk litar mikro dalam situasi ini, jumlah rintangan perintang ini mestilah sekurang-kurangnya 1 kOhm. Walau bagaimanapun, jika rintangan perintang R1 adalah lebih daripada 30 kOhm, litar mikro mungkin tidak memasuki mod pengecasan apabila menyambungkan bateri yang dinyahcas ke paras di bawah pengecas yang dibenarkan kepada pengecas.

Transistor kesan medan VT1 dan VT2 disambungkan secara bersiri ke litar pengecasan/penyahcasan bateri G1. Dalam keadaan operasi, kedua-duanya terbuka, dan jumlah rintangan saluran mereka berfungsi sebagai sensor arus yang mengalir dalam litar ini. Jika perlu, anda boleh menurunkan ambang perlindungan semasa dengan menyambungkan perintang tambahan, tidak ditunjukkan dalam rajah, secara bersiri antara terminal longkang transistor.

Jika transistor VT1 ditutup, menyahcas bateri G1 ke beban luaran adalah mustahil. Walau bagaimanapun, arus pengecasan boleh mengalir dengan bebas melalui diod pelindung yang dibina ke dalam transistor, disambungkan ke arah terus untuk arus ini. Begitu juga, transistor tertutup VT2 melarang pengecasan, meninggalkan bateri G1 mungkin untuk dinyahcas. Apabila kedua-dua transistor ditutup, bateri terputus sepenuhnya daripada litar luaran.

Perlindungan cas berlebihan

Jika voltan pada pin Vcell litar mikro meningkat, maka apabila nilai ambang tertentu U1 melebihi, ia menghantar arahan untuk menutup transistor VT2, menetapkan melalui perintang R1 disambungkan kepada sumber transistor VT2 pada pin CO tahap voltan rendah sama dengan voltan pada pin P-.

Cip akan kembali ke keadaan tinggi pada pin CO selepas voltan yang dikenakan pada pin Vcell berkurangan kepada nilai kurang sedikit daripada ambang. Keluar dari keadaan dengan tahap voltan rendah pada pin CO juga akan berlaku selepas menyambungkan beban ke bateri, jika penurunan voltan disebabkan oleh arusnya pada diod dalaman transistor VT2 - ia digunakan pada pin P- - mencapai tahap ambang Uz (dibincangkan di bawah) atau melebihinya .

Syarat untuk cip memasuki keadaan perlindungan atau kembali ke keadaan asalnya mesti dikekalkan untuk masa yang lama sebelum peralihan ini berlaku - kelewatan masa disediakan.

Perlindungan lebihan pelepasan

Apabila voltan pada pin Vcell, menurun, melintasi ambang ditetapkan U2, tahap voltan rendah akan muncul pada pin DO, yang akan menutup transistor VT1 dan menghentikan pelepasan selanjutnya bateri G1. Keupayaan pengecasan dikekalkan. Sebaik sahaja voltan pada pin Vcell melebihi ambang U2, pin DO sekali lagi akan menjadi tinggi.

Dalam keadaan melarang nyahcas bateri, arus yang digunakan oleh litar mikro berkurangan dengan mendadak, kerana kebanyakan komponen dalamannya masuk ke dalam keadaan pasif. Peningkatan voltan kecil pada pin P, disebabkan oleh penyambungan bateri ke pengecas, sekali lagi mengaktifkan litar mikro

Gambar rajah pemasaan voltan pada pelbagai terminal litar mikro dan arus dalam litar bateri G1 ditunjukkan dalam Rajah. 4 dan 5. Yang pertama daripada mereka menggambarkan operasi unit perlindungan bateri daripada pengecasan berlebihan dan melebihi arus pengecasan yang dibenarkan, dan yang kedua - daripada pelepasan yang berlebihan dan melebihi arus pelepasan yang dibenarkan.

(klik untuk memperbesar)

Perlindungan terhadap arus nyahcas berlebihan dan litar pintas terminal bateri

Nod ini beroperasi apabila kedua-dua transistor - VT1 dan VT2 - dibuka. Sebaik sahaja penurunan voltan merentasinya melebihi mana-mana nilai ambang U3 atau U5, pin DO akan menjadi rendah, mematikan transistor VT1. Kelewatan menutupnya apabila arus nyahcas melebihi adalah kira-kira 12 ms, dan apabila menutup terminal bateri - 0,4 ms. Ini adalah lebih rendah daripada kelewatan tindak balas unit perlindungan lebihan nyahcas.

Akibatnya, unit perlindungan semasa dicetuskan terlebih dahulu, menghalang litar mikro daripada masuk ke mod pasif, untuk keluar yang diperlukan untuk menyambungkan bateri ke pengecas. Untuk kembali kepada keadaan asal selepas menghapuskan litar pintas atau arus lebih, nyahcas adalah mencukupi supaya penurunan voltan merentasi perintang Rs di dalam litar mikro menjadi kurang daripada ambang. Perintang ini disambungkan antara terminal Gnd (Umum) dan P- apabila unit perlindungan semasa dicetuskan dan diputuskan sambungan daripadanya di semua keadaan lain.

Perlindungan daripada melebihi arus pengecasan yang dibenarkan

Apabila arus pengecasan lebih besar daripada yang dibenarkan (contohnya, bateri disambungkan kepada pengecas "asing" atau rosak), voltan negatif pada pin P- berada di bawah ambang U4. Jika keadaan ini tidak berubah dalam masa tertentu, pin CO akan ditetapkan ke tahap rendah, yang akan menutup transistor kesan medan VT2 dan menghentikan pengecasan. Untuk kembali ke keadaan asalnya, anda perlu memutuskan sambungan bateri daripada pengecas dan menyambungkannya ke beban untuk seketika.

Pengurusan Kelewatan Masa

Seperti yang dinyatakan di atas, untuk menukar keadaan litar mikro, syarat tertentu mesti berkuat kuasa semasa selang masa yang ditentukan oleh komponen dalaman litar mikro. Jika perlu, kelewatan boleh dilumpuhkan, selepas itu litar mikro akan bertukar serta-merta selepas keadaan yang sepadan berlaku (tempoh operasi nod dan kembali ke mod operasi tidak dikawal). Untuk melakukan ini, hanya sambungkan pin DS ke pin Vcell. Keadaan normal pin DS tidak disambungkan. Terdapat perintang dalaman di antaranya dan pin Gnd dalam litar mikro.

Mengecas bateri yang banyak dicas

Jika voltan antara pin Vcell dan Gnd litar mikro sekurang-kurangnya 1,5 V, pin COnya berada pada tahap tinggi, transistor VT2 terbuka. Ini membolehkan anda mula mengecas bateri yang hampir dinyahcas sepenuhnya.

Spesifikasi Utama

Voltan bekalan, V......1,5...4,5
Voltan bateri minimum di mana anda boleh mula mengecas, V ...... 1,5
Arus maksimum yang digunakan dalam mod aktif, µA, dengan voltan bekalan 3,9 V dan voltan sifar pada pin P-......6
nilai tipikal ...... 3
Arus tertinggi yang digunakan dalam mod pasif, μA, pada voltan bekalan 2 V ...... 0,1
Nilai voltan tahap rendah tertinggi pada output CO bagi kawalan transistor pengecasan, V, pada voltan bekalan 4,5 V dan denyut arus keluaran 50 μA......0,5
nilai tipikal ...... 0,4
Nilai voltan tahap tinggi terendah pada output CO bagi kawalan transistor pengecasan, V, pada voltan bekalan 3,9 V dan denyut arus keluaran -50 μA...... 3,4
nilai tipikal ...... 3,7
Nilai voltan aras rendah tertinggi pada keluaran DO bagi kawalan transistor nyahcas, V, pada voltan bekalan 2 V dan denyut arus keluaran 50 μA......0,5
nilai tipikal ...... 0,2
Nilai voltan tahap tinggi terendah pada output DO bagi kawalan transistor nyahcas, V, pada voltan bekalan 3,9 V dan denyut arus keluaran -50 μA......3,4
nilai tipikal ...... 3,7

Perhimpunan Perlindungan Caj Terlebih

Voltan kendalian ambang antara terminal Vcell dan Gnd, V dengan rintangan perintang R2 (Rajah 3) sebanyak 330 Ohm dan suhu ambien dalam lingkungan -5...+55 °C untuk NCP802SN1T1, NCP802SAN1T1 .....4,32. .4,38
nilai tipikal ...... 4,35
NCP802SAN5T1 . . .4,245...4,305
nilai biasa .....4,275
Voltan tindak balas ambang U, V, dengan rintangan perintang R2 sebanyak 330 Ohm dan suhu ambien +25 ° C untuk
NCP802SN1T1, NCP802SAN1T1 .....4,325...4,375
nilai tipikal ...... 4,35
NCP802SAN5T1......4,25...4,3
nilai biasa .....4,275
Kelewatan tindak balas t31, s, dengan peningkatan voltan bekalan (pada pin Vcell) daripada 3,6 kepada 4,4 V, untuk NCP802SN1T1, NCP802SAN1T1 ...0,175...0,325
nilai tipikal ...... 0,25
NCP802SAN5T1......0,7...1,3
nilai tipikal ...... 1
Tangguhkan tB1 kembali ke mod pengendalian, ms, dengan voltan bekalan 4 V dan peningkatan penurunan voltan merentasi sensor semasa R1 daripada sifar kepada 1 V......11...21
nilai tipikal ...... 16
Unit perlindungan cas berlebihan
Voltan kendalian ambang U2 (antara pin Vcell dan Gnd), V, untuk
NCP802SN1T1, NCP802SAN1T1 .....2,34...2,46
nilai tipikal ...... 2,4
NCP802SAN5T1 .....2,24...2,36
nilai tipikal ...... 2,3
Kelewatan tindak balas t32, ms, apabila voltan bekalan berkurangan daripada 3,6 kepada 2,2 V......14...26
nilai tipikal ...... 20
Tangguhkan tB2 kembali ke mod pengendalian, ms, dengan voltan bekalan 3 V dan penurunan penurunan voltan merentas sensor semasa daripada 3 V kepada sifar .....0,7... 1,7
nilai tipikal ...... 1,2
Unit perlindungan arus lebih nyahcas
Voltan ambang U3 pada sensor semasa, V, untuk
NCP802SN1T1, NCP802SAN1T1 .....0,18...0,22
nilai tipikal ...... 0,2
NCP802SAN5T1 .....0,08...0,12
nilai tipikal ...... 0,1
Kelewatan tindak balas t33, ms, dengan voltan bekalan 3 V dan peningkatan penurunan voltan merentasi sensor semasa daripada sifar kepada 1 V untuk NCP802SN1T1, NCP802SAN1T1......8...16
nilai tipikal ...... 12
NCP802SAN5T1......4..8
nilai tipikal ...... 6
Tangguhkan tB3 kembali ke mod pengendalian, ms, dengan voltan bekalan 3 V dan penurunan penurunan voltan merentas sensor semasa daripada 3 V kepada sifar .....0,7... 1,7
nilai tipikal ...... 1,2
Mengecas ke atas Unit Perlindungan Semasa
Voltan ambang U4 pada sensor semasa, V, apabila penurunan voltan merentasinya berkurangan .....-0,13...-0,07
nilai biasa ...... -0,1
Kelewatan tindak balas t34, ms, dengan voltan bekalan 3 V dan pengurangan penurunan voltan merentasi sensor semasa daripada sifar kepada -1 V untuk NCP802SN1T1, NCP802SAN1T1......11...21
nilai tipikal ...... 16
NCP802SAN5T1......5... 11
nilai tipikal ...... 8
Kelewatan dalam mengembalikan tB4 kepada mod pengendalian, ms, dengan voltan bekalan 3 V dan peningkatan penurunan voltan merentas sensor semasa daripada -1 V kepada sifar......0,7...1,7
nilai tipikal ...... 1,2

Nod perlindungan terhadap litar pintas kesimpulan luaran

Voltan ambang U5 pada sensor semasa, V, dengan voltan bekalan 3 V. . .Upit - (1,4...1,8)
nilai tipikal ..... Upit - 1,1
Kelewatan tindak balas t35, ms, dengan voltan bekalan 3 V dan peningkatan penurunan voltan merentasi sensor semasa daripada sifar kepada 3 V. .0,25...0,6 nilai biasa......0,4
Rintangan antara terminal P- dan Gnd selepas unit perlindungan semasa dicetuskan, kOhm, dengan voltan bekalan 3,6 V dan penurunan voltan merentasi sensor semasa 1 V......15. ..45
nilai tipikal ...... 30
Kelewatan nod kawalan
Voltan pada input DS, yang memotong kelewatan, V......Upp+(-0,5...+0,3)
Voltan pada input DS yang tidak disambungkan, V, pada voltan bekalan 3,6 ... 4,4 V ...... 1,05 ... (Upi -1,1)
Rintangan perintang dalaman antara pin DS dan Gnd, MΩ......0,5...2,5
nilai tipikal ...... 1,3
Hadkan nilai
Voltan, V, antara pin Vcell dan Gnd (voltan bekalan), serta antara pin DS dan Gnd, DO dan Gnd......-0,3...+12
Voltan, V, antara terminal P- dan Gnd, serta antara CO dan P-......Upit+(-28...+0,3)
Pelesapan kuasa maksimum, mW......150
Julat kerja suhu kristal, °С......-40...+85
Suhu penyimpanan, °С .. .-55...+125

Dengan pin DS tidak disambungkan, melainkan dinyatakan sebaliknya.

Sebagai tambahan kepada yang disebutkan di atas, syarikat yang sama menghasilkan satu siri litar mikro MC33349N, yang berbeza daripada NCP802SN1T1 terutamanya hanya dalam nilai tiga parameter:

Voltan tindak balas ambang U1, V (nilai biasa) dengan rintangan R2 perintang 330 Ohm dan suhu ambien +25 °C, untuk MC33349N-3R1, MC33349N-4R1......4,25
MC33349N-7R1......4,35
Voltan kendalian ambang U2, V (nilai biasa) ...... 2,5
Voltan ambang U3 pada sensor semasa, V (nilai biasa), untuk
MC33349N-3R1, MC33349N-7R1......0,2
MC33349N-4R1......0,075

Dalam tanda pada badan litar mikro ini, bukannya KN, terdapat sebutan alfanumerik: A1 - untuk MC33349N-3R1, A2 - MC33349N-4R1 dan AO - MC33349N-7R1.

Pengilang tidak menunjukkan kapasiti kapasitor C2.

Lihat artikel lain bahagian Bahan rujukan.

Baca dan tulis berguna komen pada artikel ini.

<< Belakang

Berita terkini sains dan teknologi, elektronik baharu:

Balai cerap astronomi tertinggi di dunia dibuka 04.05.2024

Meneroka angkasa dan misterinya adalah tugas yang menarik perhatian ahli astronomi dari seluruh dunia. Dalam udara segar di pergunungan tinggi, jauh dari pencemaran cahaya bandar, bintang dan planet mendedahkan rahsia mereka dengan lebih jelas. Satu halaman baharu dibuka dalam sejarah astronomi dengan pembukaan balai cerap astronomi tertinggi di dunia - Balai Cerap Atacama Universiti Tokyo. Balai Cerap Atacama, yang terletak pada ketinggian 5640 meter di atas paras laut, membuka peluang baharu kepada ahli astronomi dalam kajian angkasa lepas. Tapak ini telah menjadi lokasi tertinggi untuk teleskop berasaskan darat, menyediakan penyelidik dengan alat unik untuk mengkaji gelombang inframerah di Alam Semesta. Walaupun lokasi altitud tinggi memberikan langit yang lebih jelas dan kurang gangguan dari atmosfera, membina sebuah balai cerap di atas gunung yang tinggi memberikan kesukaran dan cabaran yang besar. Walau bagaimanapun, walaupun menghadapi kesukaran, balai cerap baharu itu membuka prospek yang luas kepada ahli astronomi untuk penyelidikan. ...>>

Mengawal objek menggunakan arus udara 04.05.2024

Perkembangan robotik terus membuka prospek baharu bagi kami dalam bidang automasi dan kawalan pelbagai objek. Baru-baru ini, saintis Finland membentangkan pendekatan inovatif untuk mengawal robot humanoid menggunakan arus udara. Kaedah ini menjanjikan untuk merevolusikan cara objek dimanipulasi dan membuka ufuk baharu dalam bidang robotik. Idea untuk mengawal objek menggunakan arus udara bukanlah perkara baru, tetapi sehingga baru-baru ini, melaksanakan konsep sedemikian masih menjadi cabaran. Penyelidik Finland telah membangunkan kaedah inovatif yang membolehkan robot memanipulasi objek menggunakan jet udara khas sebagai "jari udara". Algoritma kawalan aliran udara, yang dibangunkan oleh pasukan pakar, adalah berdasarkan kajian menyeluruh tentang pergerakan objek dalam aliran udara. Sistem kawalan jet udara, yang dijalankan menggunakan motor khas, membolehkan anda mengarahkan objek tanpa menggunakan fizikal ...>>

Anjing tulen jatuh sakit tidak lebih kerap daripada anjing tulen 03.05.2024

Menjaga kesihatan haiwan peliharaan kita adalah aspek penting dalam kehidupan setiap pemilik anjing. Walau bagaimanapun, terdapat andaian umum bahawa anjing baka tulen lebih terdedah kepada penyakit berbanding anjing campuran. Penyelidikan baru yang diketuai oleh penyelidik di Texas School of Veterinary Medicine dan Sains Bioperubatan membawa perspektif baru kepada soalan ini. Kajian yang dijalankan oleh Projek Penuaan Anjing (DAP) terhadap lebih daripada 27 anjing pendamping mendapati bahawa anjing baka tulen dan campuran secara amnya berkemungkinan sama untuk mengalami pelbagai penyakit. Walaupun sesetengah baka mungkin lebih terdedah kepada penyakit tertentu, kadar diagnosis keseluruhan adalah hampir sama antara kedua-dua kumpulan. Ketua doktor haiwan Projek Penuaan Anjing, Dr. Keith Creevy, menyatakan bahawa terdapat beberapa penyakit terkenal yang lebih biasa dalam baka anjing tertentu, yang menyokong tanggapan bahawa anjing baka tulen lebih terdedah kepada penyakit. ...>>

Berita rawak daripada Arkib

Radar 24 GHz untuk kawalan pergerakan dan jarak 20.08.2017

Infineon telah melancarkan IC radar RF BGT24LTR11N16 untuk aplikasi yang menggunakan penderia IR secara tradisional. Radar membolehkan anda mengukur jarak ke objek dan kelajuannya berdasarkan kesan Doppler.

Julat operasi litar mikro (24,0 ... 24,25 GHz) diluluskan untuk digunakan di Persekutuan Rusia untuk pengesanan gerakan dan peranti isyarat radio (Lampiran N 3 kepada keputusan Jawatankuasa Negeri untuk Frekuensi Radio pada 19 Ogos 2009 N 09 -04-07).

Litar mikro ialah radar jenis FMCW atau FSK, menjana isyarat dengan kuasa output 6 dBm dan mengandungi laluan penerimaan dengan input antena yang berasingan. Pada output pengadun, isyarat kuadratur I/Q IF terbentuk, yang mesti disalurkan kepada ADC mikropengawal luaran.

Litar mikro dibina menggunakan teknologi SiGe 0,18 mikron dengan frekuensi cutoff 200 GHz. BGT24LTR11N16 beroperasi daripada satu bekalan 3,3V dan menarik kira-kira 45mA apabila pemancar dihidupkan. Masa untuk VCO memasuki mod operasi tidak melebihi 100 ns.

Permohonan untuk BGT24LTR11N16:

Membina automasi dan rumah pintar
Kawalan lampu jalan
Dron dan robot
Sistem keselamatan
automasi industri
peralatan rumah

Jalur 24 GHz memastikan ketepatan pengesanan objek yang tinggi: sehingga 50 m untuk pejalan kaki dan sehingga 150 m untuk kenderaan. Selain itu, kaedah pengesanan radar jauh lebih sensitif daripada penderia inframerah (IR) pasif dan mampu, sebagai contoh, mengesan nafas badan manusia.

Ia boleh diandaikan bahawa radar akhirnya akan menggantikan sensor PIR dalam banyak aplikasi. Jalur 24 GHz sesuai untuk operasi dalam pelbagai keadaan atmosfera, termasuk perubahan suhu yang ketara, tahap kelembapan yang tinggi dan udara berdebu. Ini membolehkan penggunaan radar walaupun dalam keadaan paling buruk di bandar moden.

Berita menarik lain:

▪ Modul PemindahanJet Kecil

▪ Sedan elektrik Nio ET7

▪ Tablet termurah

▪ Toyota akan membantu membina jalan bercakap yang selamat

▪ Hadiah Hi-Tec Tahun Baru - murah dan berguna

Suapan berita sains dan teknologi, elektronik baharu

Bahan-bahan menarik Perpustakaan Teknikal Percuma:

▪ bahagian tapak Keselamatan elektrik, keselamatan kebakaran. Pemilihan artikel

▪ artikel Kebangkitan Lazarus. Ungkapan popular

▪ artikel Bagaimana landak digunakan untuk mengira kutu? Jawapan terperinci

▪ artikel Buat bateri. Makmal Sains Kanak-Kanak

▪ artikel Pemasa Thyristor. Ensiklopedia elektronik radio dan kejuruteraan elektrik

▪ artikel Peralatan elektrik dan pemasangan elektrik untuk tujuan umum. Cara kawalan, pengukuran dan perakaunan. Ensiklopedia elektronik radio dan kejuruteraan elektrik

Tinggalkan komen anda pada artikel ini:

Semua bahasa halaman ini

Laman utama | Perpustakaan | artikel | Peta Laman | Ulasan laman web