Transistor MOSFET kuasa. Skim, penerangan

ENSIKLOPEDIA ELEKTRONIK RADIO DAN KEJURUTERAAN ELEKTRIK
Perpustakaan percuma / Juruelektrik

Peranti semikonduktor kuasa. Transistor MOSFET kuasa. Ensiklopedia elektronik radio dan kejuruteraan elektrik

Perpustakaan teknikal percuma

Ensiklopedia elektronik radio dan kejuruteraan elektrik / Buku Panduan Juruelektrik

MOSFET ialah singkatan bagi frasa Bahasa Inggeris Metal-Oxide-Semiconduktor Field Effect Transistor (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor).

Kelas transistor ini dibezakan, pertama sekali, dengan kuasa kawalan minimum dengan output yang ketara (beratus-ratus watt). Ia juga perlu diperhatikan nilai rintangan yang sangat rendah dalam keadaan terbuka (persepuluh ohm dengan arus keluaran berpuluh-puluh ampere), dan oleh itu kuasa minimum yang dikeluarkan oleh transistor dalam bentuk haba.

Penamaan jenis transistor ini ditunjukkan dalam Rajah. 7.1. Juga, untuk mengurangkan bilangan komponen luaran, diod snubber frekuensi tinggi yang berkuasa boleh dibina ke dalam transistor.

MOSFET berkuasa
nasi. 7.1. Penetapan transistor MOSFET (G - get, D - drain, S - source): a - penetapan transistor saluran N; b - penetapan transistor saluran P

Kelebihan transistor MOSFET berbanding yang bipolar

Kepada yang tidak dapat dinafikan kelebihan Transistor MOSFET di hadapan yang bipolar termasuk yang berikut:

kuasa kawalan minimum dan perolehan arus yang tinggi memastikan kesederhanaan litar kawalan (malah terdapat pelbagai MOSFET yang dikawal oleh tahap logik);
kelajuan pensuisan yang tinggi (pada masa yang sama, kelewatan pemadaman adalah minimum dan pelbagai operasi selamat dipastikan);
keupayaan untuk menyambungkan transistor secara selari untuk meningkatkan kuasa output;
rintangan transistor kepada denyutan voltan besar (dv/dt).

Aplikasi dan pengilang

Peranti ini digunakan secara meluas dalam peranti untuk mengawal beban berkuasa dan menukar bekalan kuasa. Dalam kes kedua, skop penggunaannya agak terhad oleh voltan sumber saliran maksimum (sehingga 1000 V).

MOSFET ™ saluran N adalah yang paling popular untuk menukar litar kuasa. Voltan kawalan atau voltan yang digunakan antara pintu dan punca untuk menghidupkan MOSFET mesti melebihi ambang UT 4V, sebenarnya 10-12V diperlukan untuk menghidupkan MOSFET dengan pasti. Mengurangkan voltan kawalan ke ambang bawah UT akan mematikan MOSFET.

MOSFET kuasa dihasilkan pelbagai pengeluar:

HEXFET (syarikat NASIONAL);
VMOS (PHILLIPS);
SIPMOS (syarikat SIEMENS).

Struktur dalaman MOSFET

Dalam Rajah. 7.2 menunjukkan persamaan struktur dalaman HEXFET, VMOS dan SIPMOS. Mereka mempunyai struktur empat lapisan menegak dengan lapisan P dan N berselang-seli: Struktur ini disebabkan oleh operasi tugas berat MOSFET saluran N.

Jika voltan yang dikenakan pada terminal get melebihi paras ambang, get adalah pincang relatif kepada punca, mewujudkan saluran N songsang di bawah filem silikon oksida yang menyambungkan punca ke longkang untuk mengalirkan arus.

Kekonduksian MOSFET dipastikan oleh pembawa majoriti kerana tiada pembawa minoriti yang disuntik ke dalam saluran. Ini tidak membawa kepada pengumpulan caj, yang mempercepatkan proses pensuisan. Dalam keadaan hidup, hubungan antara arus dan voltan adalah hampir linear, serupa dengan rintangan, yang dianggap sebagai rintangan dalam keadaan saluran.

MOSFET berkuasa
nasi. 7.2. Struktur dalaman transistor: a - transistor struktur HEXFET; b - transistor struktur VMOS; c - transistor struktur SIPMOS

Litar MOSFET yang setara ditunjukkan dalam Rajah. 7.3. Kedua-dua kapasitansi antara pintu dan sumber serta pintu dan longkang mengakibatkan kelewatan pensuisan jika pemandu tidak dapat menyokong arus hidup yang tinggi. Satu lagi kapasiti transistor terletak di antara longkang dan sumber, tetapi disebabkan oleh struktur dalaman transistor, ia dipintas oleh diod parasit yang terbentuk di antara longkang dan sumber. Malangnya, diod parasit tidak bertindak pantas dan tidak boleh diambil kira, dan diod pintasan tambahan diperkenalkan untuk mempercepatkan pensuisan.

MOSFET berkuasa
nasi. 7.3. Litar setara MOSFET: a - versi pertama litar setara; b - versi kedua litar setara dengan penggantian transistor dengan diod; c - struktur dalaman sepadan dengan pilihan pertama

Parameter MOSFET

Mari kita pertimbangkan parameter utama yang mencirikan transistor MOSFET.

Voltan saliran-ke-sumber maksimum, ATAU_DS - voltan operasi serta-merta maksimum.

Arus longkang berterusan, Saya_D - arus maksimum yang boleh mengalirkan MOSFET, ditentukan oleh suhu simpang.

Arus saliran nadi maksimum, Saya_DM - lebih daripada saya_D dan ditakrifkan untuk denyutan tempoh dan kitaran tugas tertentu.

Umur voltan sumber gerbang maksimum, ATAU_GS ialah voltan maksimum yang boleh digunakan antara pintu dan punca tanpa merosakkan penebat pintu.

Tambahan pula, ambil tempat:

voltan ambang pintu, U_T {U_TH, ATAU_GS};
U_T - voltan get minimum di mana transistor dihidupkan.

Pengarang: Koryakin-Chernyak S.L.

Lihat artikel lain bahagian Buku Panduan Juruelektrik.

Baca dan tulis berguna komen pada artikel ini.

<< Belakang

Berita terkini sains dan teknologi, elektronik baharu:

Kandungan alkohol bir hangat 07.05.2024

Bir, sebagai salah satu minuman beralkohol yang paling biasa, mempunyai rasa uniknya sendiri, yang boleh berubah bergantung pada suhu penggunaan. Satu kajian baru oleh pasukan saintis antarabangsa telah mendapati bahawa suhu bir mempunyai kesan yang ketara terhadap persepsi rasa alkohol. Kajian yang diketuai oleh saintis bahan Lei Jiang, mendapati bahawa pada suhu yang berbeza, molekul etanol dan air membentuk pelbagai jenis kelompok, yang mempengaruhi persepsi rasa alkohol. Pada suhu rendah, lebih banyak gugusan seperti piramid terbentuk, yang mengurangkan kepedasan rasa "etanol" dan menjadikan rasa minuman kurang alkohol. Sebaliknya, apabila suhu meningkat, gugusan menjadi lebih seperti rantai, menghasilkan rasa alkohol yang lebih ketara. Ini menjelaskan mengapa rasa beberapa minuman beralkohol, seperti baijiu, boleh berubah bergantung pada suhu. Data yang diperoleh membuka prospek baharu bagi pengeluar minuman, ...>>

Faktor risiko utama untuk ketagihan perjudian 07.05.2024

Permainan komputer menjadi satu bentuk hiburan yang semakin popular di kalangan remaja, tetapi risiko ketagihan permainan yang berkaitan masih menjadi masalah yang ketara. Para saintis Amerika menjalankan kajian untuk menentukan faktor utama yang menyumbang kepada ketagihan ini dan menawarkan cadangan untuk pencegahannya. Sepanjang enam tahun, 385 remaja telah diikuti untuk mengetahui faktor yang boleh menyebabkan mereka ketagihan perjudian. Keputusan menunjukkan bahawa 90% peserta kajian tidak berisiko mengalami ketagihan, manakala 10% menjadi penagih judi. Ternyata faktor utama dalam permulaan ketagihan perjudian adalah tahap tingkah laku prososial yang rendah. Remaja dengan tahap tingkah laku prososial yang rendah tidak menunjukkan minat terhadap bantuan dan sokongan orang lain, yang boleh menyebabkan kehilangan hubungan dengan dunia sebenar dan pergantungan yang semakin mendalam pada realiti maya yang ditawarkan oleh permainan komputer. Berdasarkan keputusan ini, saintis ...>>

Kebisingan lalu lintas melambatkan pertumbuhan anak ayam 06.05.2024

Bunyi yang mengelilingi kita di bandar moden semakin menusuk. Walau bagaimanapun, sedikit orang berfikir tentang bagaimana bunyi ini menjejaskan dunia haiwan, terutamanya makhluk halus seperti anak ayam yang belum menetas dari telur mereka. Penyelidikan baru-baru ini menjelaskan isu ini, menunjukkan akibat yang serius untuk pembangunan dan kelangsungan hidup mereka. Para saintis telah mendapati bahawa pendedahan anak ayam zebra diamondback kepada bunyi lalu lintas boleh menyebabkan gangguan serius kepada perkembangan mereka. Eksperimen telah menunjukkan bahawa pencemaran bunyi boleh melambatkan penetasan mereka dengan ketara, dan anak ayam yang muncul menghadapi beberapa masalah yang menggalakkan kesihatan. Para penyelidik juga mendapati bahawa kesan negatif pencemaran bunyi meluas ke dalam burung dewasa. Mengurangkan peluang pembiakan dan mengurangkan kesuburan menunjukkan kesan jangka panjang bunyi lalu lintas terhadap hidupan liar. Hasil kajian menyerlahkan keperluan ...>>

Berita rawak daripada Arkib

Cip Siri AMMP Mount Permukaan 16.01.2005

AGILENT TECHNOLOGIES telah mengumumkan cip AMMP pelekap permukaan tambahan untuk radio mudah alih sehingga 20 GHz.

Cip tambahan ini ialah penguat AMMP-5618, pengadun AMMP-6530, penguat kuasa AMMP-6420, penguat hingar rendah AMMP-6220 dan pengganda frekuensi AMMP-6120. Secara keseluruhan, siri ini termasuk 16 cip, di mana anda boleh membina stesen radio mudah alih untuk pelbagai tujuan.

Berita menarik lain:

▪ Penguat mono XNUMX volt

▪ E-book PocketBook Basic Lux 4

▪ Mutasi Ketidakpekaan

▪ tab mandi panas untuk epal

▪ Kecubung angkasa dalam bintang yang hampir mati

Suapan berita sains dan teknologi, elektronik baharu

Bahan-bahan menarik Perpustakaan Teknikal Percuma:

▪ bahagian tapak Kereta. Pemilihan artikel

▪ artikel Berada di mana-mana dan tiada di mana-mana. Ungkapan popular

▪ artikel Berapa besar siput? Jawapan terperinci

▪ pasal Canoe, macam orang India. Petua Perjalanan

▪ artikel Bot dengan pemacu elektrik pada sel solar. Ensiklopedia elektronik radio dan kejuruteraan elektrik

▪ artikel Piawaian untuk menguji peralatan dan peranti elektrik untuk pemasangan elektrik pengguna. Motor AC. Ensiklopedia elektronik radio dan kejuruteraan elektrik

Tinggalkan komen anda pada artikel ini:

Semua bahasa halaman ini

Laman utama | Perpustakaan | artikel | Peta Laman | Ulasan laman web